中微公司正式对外宣布,自研的 Primo Matrix® 双反应台等离子体晶圆切割设备已经完成首台交付,发给国内集成电路封装客户,这标志着中微从芯片前道刻蚀设备,正式延伸布局到先进封装的晶圆切割赛道,补上国内等离子体切割设备的一块短板。传统的刀片切割容易产生崩边、碎屑,超薄晶圆、窄切割道场景下良率很难做高,而等离子切割属于干法刻蚀切割,靠等离子体刻蚀分开晶圆,损伤更小、可以做更窄的切割道,刚好适配现在 Chiplet、超薄晶圆这类先进封装工艺。这款设备沿用了中微已经量产验证的 Primo TSV 深硅刻蚀技术,双反应台结构,支持 200mm、300mm 带框架晶圆,适配 25μm 到 700μm 厚度区间,最小支持 5μm 切割道,同样一片晶圆可以多出很多颗芯片;现在首台已经交付客户,下一步会进入客户产线做工艺验证、量产爬坡,未来会给国内封装厂提供国产替代方案,降低先进封装设备对外依赖。
设备基础参数清单
- 设备型号:Primo Matrix®
- 技术路线:等离子体干法刻蚀切割,双反应台架构
- 兼容晶圆尺寸:200mm、300mm 带框架晶圆
- 支持晶圆厚度:25μm–700μm
- 最小切割道宽度:5μm
- 核心技术底座:Primo TSV 成熟深硅刻蚀技术
- 交付对象:国内头部集成电路封装企业
- 当前阶段:设备交付,进入客户端工艺验证
等离子切割 vs 传统刀片切割对比表
| 对比项目 | 传统刀片切割 | 等离子体晶圆切割(Primo Matrix) |
|---|---|---|
| 切割原理 | 机械刀片打磨划片 | 等离子干法刻蚀分离晶圆 |
| 切割道下限 | 一般 20μm 以上 | 低至 5μm,节省晶圆面积 |
| 晶圆损伤 | 容易崩边、产生碎屑,超薄片良率差 | 应力低、损伤小,适合超薄晶圆 |
| 适配封装 | 常规粗封装 | Chiplet、2.5D/3D、超薄晶圆先进封装 |
| 产能与维护 | 刀片耗材需要频繁更换 | 无刀片耗材,长期维护成本更低 |
本次交付的意义
- 产品线拓展:中微此前主力是前道刻蚀机,这次切入封装环节,打通前道 + 封装刻蚀设备布局
- 国产替代:先进封装等离子切割设备长期海外厂商主导,国产方案落地给国内封装厂新增选择
- 适配先进封装趋势:Chiplet、堆叠芯片对低损伤、窄切割道需求持续上涨,干法等离子切割是主流方向
- 技术复用:依托成熟 TSV 刻蚀平台,工艺稳定性有量产数据支撑,降低验证风险
现存待验证事项
- 客户端长时间量产稳定性,需要持续跑片验证良率、设备稼动率
- 后续多客户导入、不同封装工艺的工艺库开发
- 市场渗透率,和海外成熟竞品的长期工艺、成本竞争
【相关 FAQ】
问题 1:中微公司首台等离子体晶圆切割设备交付,这款设备叫什么型号?
回答 1:中微公司首台等离子体晶圆切割设备交付,这款设备型号是 Primo Matrix®,采用双反应台等离子体干法刻蚀方案,面向先进封装晶圆切割场景。
问题 2:中微等离子体晶圆切割设备和普通刀片划片相比优势是什么?
回答 2:中微等离子体晶圆切割设备属于干法刻蚀切割,切割道可以做到最小 5μm,晶圆应力和损伤更小,适配超薄晶圆、Chiplet 先进封装,没有刀片耗材损耗。
问题 3:中微首台等离子体晶圆切割设备交付之后,是不是马上大规模量产供货?
回答 3:不是,中微首台等离子体晶圆切割设备交付只是送到封装客户,接下来要在客户产线开展工艺验证、试产爬坡,验证通过后才会逐步批量供货。
问题 4:中微等离子体晶圆切割设备,支持多大尺寸的晶圆?
回答 4:中微等离子体晶圆切割设备支持 200mm、300mm 带框架晶圆,晶圆厚度覆盖 25μm 到 700μm,超薄晶圆和常规厚晶圆都可以适配。
问题 5:中微推出等离子体晶圆切割设备,对国内先进封装行业有什么影响?
回答 5:中微等离子体晶圆切割设备实现交付,补齐国产先进封装干法切割设备短板,给国内封装厂商提供国产替代选项,降低先进封装设备对外依赖,支撑 Chiplet 等封装工艺发展。
【参考资料】
[2026-11-10](重要突破!中微公司首台等离子体晶圆切割设备成功交付)中微公司官网
[2026-11-10](中微公司交付首台等离子体晶圆切割设备)上海证券报
[2026-11-10](国产再突破:中微公司首台等离子体晶圆切割设备成功交付国内重要集成电路封装客户)新浪财经
[2026-11-11](中微公司首台等离子体晶圆切割设备交付)中国经济网
[2026-11-13](中微公司首台等离子体晶圆切割设备已交付国内集成电路封装客户)证券时报
【免责声明】
本文仅为半导体行业资讯整理,中微等离子体晶圆切割设备刚完成首台交付,客户端良率、稼动率、商业化进度还在验证阶段,技术指标、订单落地存在不确定性,不构成投资建议,一切以中微官方公告和客户验证结果为准。
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希望本篇文章《中微首台等离子体晶圆切割设备交付,Primo Matrix 补齐先进封装国产设备短板》能对你有所帮助!
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本文概览:中微公司正式对外宣布,自研的 Primo Matrix® 双反应台等离子体晶圆切割设备已经完成首台交付,发给国内集成电路封装客户,这标志着中微从芯片前道刻蚀设备,正式延伸布局到先进封装的晶圆切割赛道,补上国内等离子体切割设备的一块短板。传统的刀片切割容易产生崩边、碎屑,超薄晶圆、窄切割道场景下良率很难做高,而等离子切割属于干法刻蚀切割,靠等离子体刻蚀分开晶圆,损伤更小、可以做更窄的切割道,刚好适配现在 Chiplet、超薄晶圆这类先进封装工艺。这款设备沿用了中微已经量产验证的 Primo TSV 深硅刻蚀技术,双反应台结构,支持 200mm、300mm 带框架晶圆,适配 25μm 到 700μm 厚度区间,最小支持 5μm 切割道,同样一片晶圆可以多出很多颗芯片;现在首台已经交付客户,下一步会进入客户产线做工艺验证、量产爬坡,未来会给国内封装厂提供国产替代方案,降低先进封装设备对外依赖。