眼下 AI 带动 HBM、先进 DRAM 的需求持续爆发，而 ASML 的 EUV 光刻机产能有限、交期大幅拉长，2027 到 2028 年还会出现供给缺口，三星与 SK 海力士这两家韩国存储巨头，正在提前锁定订单，两家各自用于采购 EUV 光刻机的资金区间都落在 10 至 20 万亿韩元，抢设备本质就是抢先进存储的量产时间窗口，谁更早拿到机台，谁就能更快落地下一代 DRAM，在 HBM 赛道拿到更大份额；EUV 是推进 1c、更下一代 DRAM 必不可少的设备，普通光刻设备已经扛不住这么精细的存储电路，再加上交付周期差不多翻倍，如果等到产线建好再下单，很容易错过市场行情，所以两家都愿意提前砸钱锁配额，甚至做好追加订单的准备，推高自身资本开支。
一、两家企业投资与产线规划
SK 海力士
- 明确采购额度：计划在 2026–2027 年投入 11.95 万亿韩元采购 EUV 设备，全部设备交付截止时间为 2027 年 12 月 31 日。
- 配套工厂：龙仁 Y1 晶圆厂，首个无尘室预计在 2027 年 2 月投产，这批 EUV 主要用来推进 1c DRAM 制程迭代，支撑新一代 HBM 的产能爬坡。
- 技术布局：已经引入业界首台量产型 High NA EUV，提前验证更高分辨率的光刻方案，为后续更小节点存储芯片铺路。
三星电子
- 投资区间：EUV 相关投资上限可达 20 万亿韩元，订单节奏配合平泽园区扩建。
- 配套工厂：平泽 P4 增设 HBM4 单晶 DRAM 产线；平泽 P5 工厂计划 2027 年年中导入光刻设备，目标 2028 年实现 High NA EUV 在 DRAM 的量产，属于行业较早把 High NA EUV 落地到存储量产的路线。
- 长期目标：依托 EUV 和 High NA EUV，持续压缩 DRAM 线宽，巩固自己在 HBM、先进存储的龙头位置。
二、为什么现在要争抢 EUV 光刻机
- 供给瓶颈：目前全球只有 ASML 能够量产 EUV，产能释放速度有限，厂商预警 2027–2028 会出现明显供货缺口，越往后越难拿到交付排期。
- AI 存储需求拉动：大模型、AI 服务器拉动 HBM、高速 DRAM 需求，先进 DRAM 必须依靠 EUV 才能缩小特征尺寸，提升单片晶圆的芯片数量。
- 交付周期拉长：EUV 的交付周期已经拉长到原来最长周期的两倍，临时下单很难跟上建厂节奏，提前锁单是最稳妥的方式。
- 制程刚需：普通 DUV 光刻机已经无法满足最新一代 DRAM 的图案精度，想要往 1c、后续节点走，没有 EUV 就无法推进量产。
三、两种 EUV 机型的定位差异
| 机型 | 用途 | 两家布局方向 |
|---|---|---|
| 常规 EUV | 当前主力，用于现有先进 DRAM、HBM 量产，稳定成熟 | 两家大量采购，用来快速扩产，填充现有新建无尘室 |
| High NA EUV | 下一代，分辨率更高，可以简化光刻步骤，继续往下缩节点 | SK 海力士先引入样机验证；三星定下 2028 年 DRAM 量产目标 |
四、这件事带来的行业影响
- 存储竞争加剧：三星、SK 海力士拿到更多 EUV 配额，会持续拉开和其他存储厂商在先进 DRAM、HBM 上的产能差距。
- 资本开支上行：EUV 单机价格极高，加上配套无尘室、电源、工艺开发，后续两家还有追加订单的可能性。
- 设备产业链受益：ASML、光刻配套材料、掩膜版、特种气体、光阻的订单预期抬升，先进光刻配套供应链热度走高。
- 存储价格预期：中长期先进 HBM、高速 DRAM 的供给会随产线落地增加，缓解紧缺，但短期设备交付限制，供给不会快速放量。
【相关 FAQ】
问题 1：三星、SK 海力士砸重金采购 EUV 光刻机，主要是为了生产什么芯片？
回答 1：三星、SK 海力士采购 EUV 光刻机，核心目标是先进 DRAM，包含用于 AI 的 HBM 系列存储芯片，依靠 EUV 完成更精细的制程，提升存储密度与产能。
问题 2：为什么三星、SK 海力士要提前抢 EUV 光刻机，不能等工厂建好再买？
回答 2：EUV 光刻机交付周期大幅拉长，同时 ASML 预警 2027–2028 存在供给缺口，如果等工厂完工再下单，设备交付会拖慢先进 DRAM 和 HBM 的量产节奏，所以要提前锁定 EUV 的交付配额。
问题 3：三星计划用 High NA EUV 在 2028 量产 DRAM，High NA EUV 和普通 EUV 有什么区别？
回答 3：High NA EUV 的分辨率更强，可以刻出更微小的电路图案，简化多次光刻流程，三星想用它推进下一代 DRAM；常规 EUV 是当下扩产 HBM、先进 DRAM 的主力机型。
问题 4：三星、SK 海力士争抢 EUV 光刻机，会对全球存储市场造成什么变化？
回答 4：三星、SK 海力士锁定更多 EUV 配额，会巩固两家在高端 DRAM、HBM 的产能优势；长期来看先进存储供给会提升，不过受 EUV 产能限制，短时间内高端存储紧缺局面很难立刻扭转。
【参考资料】
[2026-11-10]（消息称三星电子、SK 海力士均将向 ASML EUV 光刻机投资超 10 万亿韩元）IT 之家
[2026-11-10]（三星与 SK 海力士竞购 ASML EUV 光刻机，投资超千亿人民币）DoNews
[2026-11-10]（存储双雄，争夺 EUV 光刻机）虎嗅网
[2026-11-10]（Samsung, SK hynix Reportedly Race for ASML EUV Amid 2027–2028 Shortages; Orders Worth Up to KRW 20T Each）TrendForce
[2026-09-08]（Samsung Electronics and ASML Expand Strategic Collaboration for Next-Generation Semiconductor Manufacturing）三星半导体新闻中心
【免责声明】
本文仅为行业资讯科普，文中投资金额、投产时间、设备交付周期均来自媒体报道与企业公开规划，存在延期、调整、取消的可能性；不构成任何投资建议；EUV 采购、晶圆厂建设、芯片量产受供应链、地缘、市场需求多重因素影响，最终进展以企业官方公告为准。
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本文概览：眼下 AI 带动 HBM、先进 DRAM 的需求持续爆发，而 ASML 的 EUV 光刻机产能有限、交期大幅拉长，2027 到 2028 年还会出现供给缺口，三星与 SK 海力士这两家韩国存储巨头，正在提前锁定订单，两家各自用于采购 EUV 光刻机的资金区间都落在 10 至 20 万亿韩元，抢设备本质就是抢先进存储的量产时间窗口，谁更早拿到机台，谁就能更快落地下一代 DRAM，在 HBM 赛道拿到更大份额；EUV 是推进 1c、更下一代 DRAM 必不可少的设备，普通光刻设备已经扛不住这么精细的存储电路，再加上交付周期差不多翻倍，如果等到产线建好再下单，很容易错过市场行情，所以两家都愿意提前砸钱锁配额，甚至做好追加订单的准备，推高自身资本开支。