随着 AI 算力带动 HBM、先进 DRAM 需求快速上涨，三星电子和 SK 海力士正在加紧向 ASML 锁定 EUV 光刻机订单，两家企业单家投入规模可达 10 万亿至 20 万亿韩元，用来保障下一代 DRAM、HBM 扩产，而 ASML 已经在财报会议上明确预警，2027 到 2028 这两年 EUV 光刻机供给跟不上客户订单需求，就算 ASML 持续上调产能规划，也很难填平缺口，设备交付周期直接拉长，部分设备交期翻倍，存储厂商只能提前下单、抢产能配额，能不能拿到 EUV 设备，直接决定两家韩厂新晶圆厂投产节奏、HBM 和先进 DRAM 产能释放速度。
一、两家韩厂采购基础信息
| 企业 | 采购规划 | 核心用途 | 交付节点 |
|---|---|---|---|
| SK 海力士 | 已官宣 11.95 万亿韩元 EUV 采购订单 | 1c DRAM、下一代 HBM 产能建设 | 2027 年 12 月 31 日前完成交付 |
| 三星电子 | 10-20 万亿韩元级别采购，配套平泽 P4、P5 产线 | 1c DRAM、HBM4 扩产，P5 新晶圆厂建设 | 2027 年洁净室完工后进场，目标 2028 投产 |
二、EUV 光刻机供应紧张的核心原因
- 需求端：AI 带动 HBM 需求爆发，先进 DRAM 制程升级后，单颗晶圆需要的 EUV 曝光层数变多，同样产能规模要消耗更多 EUV 光刻机
- 供给端：EUV 光刻机零部件极多、供应链复杂，ASML 扩产速度受上游配套厂商制约，产能爬坡慢
- 竞争格局：除了三星、SK 海力士，台积电、英特尔等逻辑芯片大厂同样持续下单 EUV，客户扎堆抢配额
三、ASML 产能与出货规划清单
- 2026 年 EUV 目标出货：约 65 台，对比去年 44 台增幅接近 50%
- 2027 年产能目标：计划提升 30%
- 2028 年产能目标：计划再提升 30%，同时评估更大幅度扩产方案
- 现状判断：即便完成上述扩产计划，2027、2028 年供给依旧无法满足全部客户需求，部分客户已经开始洽谈 2029、2030 远期订单
四、对存储行业带来的影响
✅ 优先拿到 EUV 配额的厂商，可以更早落地 1c DRAM、新一代 HBM，抢占 AI 存储市场
⚠️ 拿不到设备，新厂房建好也无法投产，资本开支沉淀、产能落地延后
⚠️ 设备交期拉长，行业资本支出压力上升，存储大厂会更早锁长期订单
⚠️ DRAM 使用 EUV 层数持续增加，进一步抬高先进存储的制造成本
五、厂商抢设备的操作方式
- 提前锁定远期产能配额，不再等到厂房建好再下单
- 在原有订单基础上追加采购，预留备用产能
- 优先保障 HBM 相关产线的 EUV 设备，HBM 利润更高、需求更紧俏
- 和 ASML 深度绑定长期供货协议，优先保障交付优先级
【相关 FAQ】
问题 1：三星和 SK 海力士抢购 EUV 光刻机，主要是为了生产什么芯片？
回答 1：三星和 SK 海力士抢购 EUV 光刻机，主要用来制造先进 DRAM 以及 HBM 高带宽内存，支撑 1c DRAM 制程升级、HBM4 等 AI 存储产品扩产。
问题 2：ASML 说未来两年 EUV 光刻机供应短缺，是指哪两年？
回答 2：ASML 预判 EUV 光刻机供应短缺主要是 2027 年、2028 年这两年，就算持续扩产，EUV 产能也难以覆盖三星、SK 海力士以及其他芯片厂商的订单需求。
问题 3：SK 海力士已经敲定的 EUV 光刻机订单，交付时间和金额是多少？
回答 3：SK 海力士官宣的 EUV 光刻机订单金额约 11.95 万亿韩元，交付截止时间为 2027 年 12 月 31 日，用于下一代 DRAM 与 HBM 产能建设。
问题 4：三星抢 EUV 光刻机和平泽 P5 产线是什么关系？
回答 4：三星平泽 P5 是新一代大型晶圆厂区，计划 2028 年投产，三星提前抢购 EUV 光刻机，就是为了等 2027 年洁净室完工后及时进场安装，保障 P5 先进 DRAM、HBM 产能按时落地。
【参考资料】
[2026-11-12]（三星、SK 海力士竞相订购 EUV 光刻设备，双方投资额最高达 20 万亿韩元）财联社
[2026-11-10]（三星和 SK 海力士抢购 EUV 光刻机，ASML 预计未来两年都将出现供应短缺）超能网
[2026-11-10]（Samsung, SK hynix Reportedly Race for ASML EUV Amid 2027–2028 Shortages）TrendForce
[2026-11-09]（三星、SK 海力士加紧采购 EUV 设备，交期持续拉长）36 氪
[2026-10-15]（ASML 三季报：EUV 需求旺盛，2027-2028 供给难以满足客户）新浪财经
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