HBM 设备被抢到什么程度订单分别涨 125.8%、96.1%、85.1%，收入确认却在往后拖

这条标题指向的是 HBM 相关设备订单的动态，我先确认具体是哪些设备被抢购、抢到什么程度。

数据已经查到：订单端确实有明显增长，但 “疯抢” 背后还有一个关键区别：订单与收入确认不同步。

先看三个最可靠的核心数字：日本封装设备厂 TOWA 2026 年 7—9 月订单 329.7 亿日元，同比增长 125.8%，创单季历史新高，公司随即把本财年营收预测从 640 亿日元上调到 710 亿日元、营业利润从 102.4 亿上调到 131.5 亿日元；荷兰 BESI 三季度订单 3.426 亿欧元，同比增长 96.1%、环比增长 17%，营收 2.834 亿欧元同比增长 113.6%，滚动的 12 个月订单达 12 亿欧元；新加坡 ASMPT 2026 年上半年新增订单 16.31 亿美元、同比增长 85.1%，订单出货比 1.43，是 2021 年上半年以来的最高水平。再补一个更可靠的数据：摩根士丹利预计 2026 年 CoWoS 与 HBM 设备市场增长约 55%。但这里有一个必须说清的区别 —— 订单增长不等于收入增长。韩美半导体三季度营收 1810 亿韩元、营业利润 908 亿韩元，同比分别增长 8.9% 和 33.9%，环比却分别下滑 27.9% 和 30.3%，公司解释是部分设备收入确认递延到四季度。所以 “被疯抢” 说的是订单和在手合同，能确认成收入的时间还落在后面。

一、三家主机厂的订单指标

厂商	主攻环节	订单数据	同比
TOWA（日本）	模塑等后段封装设备	2026 年 7—9 月订单 329.7 亿日元，单季历史新高	+125.8%
BESI（荷兰）	热压键合 TC next + 混合键合	2026Q3 订单 3.426 亿欧元；12 个月订单 12 亿欧元	+96.1%（环比 +17%）
ASMPT（新加坡）	TCB、混合键合、先进封装	2026 上半年订单 16.31 亿美元，订单出货比 1.43	+85.1%（Q2 单季 +97.6%）
韩美半导体（韩国）	HBM TC 键合机	2026Q2 营收 2511 亿韩元、营业利润 1303 亿韩元，营业利润率 51.9%	Q3 环比回落，Q4 预计创单季新高
ONTO（美国）	先进封装检测 / 量测	创纪录季度，营收 +88%，在手订单超 11 亿美元	2026 先进封装增长预期上调至约 80%

把这几家并排看，结论很清楚：这轮订单增长不是某一家的个别现象，从模塑（TOWA）、键合（BESI、ASMPT、韩美）到检测（ONTO），后段封装的每个关键环节都在集体增长。

二、压力首先出现在设备端的原因

HBM 与传统 DRAM 的根本区别是 “要堆起来”。多颗 DRAM Die 垂直叠放、靠硅通孔（TSV）连通，工序从原来的 “造完晶圆再切割封装” 变成 “造完晶圆还要走 TSV 加工、减薄、堆叠、键合、模塑、检测一整套”。层数从 8 层往 12 层、16 层走，每一道工序的精度要求同步抬高。结果就是：存储厂有钱、有厂房，也未必能及时买到足够的先进封装设备。

三、卡点一：键合，两种工艺并行

现在 HBM 量产的主力是热压键合（TCB）：用键合头逐颗抓取 DRAM Die，光学对准精度约 ±1 微米，施加 200—400℃ 的温度与约 5—500 牛顿的压力，让铜微凸块压合形成金属间化合物，逐层堆到 16 层。它的优势是逐颗局部加热、翘曲可控，不像整片回流那样累积热应力。

维度	热压键合（TCB）	混合键合（Hybrid Bonding）
连接方式	铜微凸块 + 非导电膜（NCF）或模塑底填（MR-MUF）	铜与铜直接键合，无凸块
间距能力	微凸块典型 5—20 微米	亚微米级，可做到 1 微米以下
适用层数	HBM4 的 16 层够用	20 层以上的 HBM6 才必需
单台价格	基准	约 2 倍（另有 3 倍口径，见下文 “打折看” 第 2 条）
当前状态	量产主力	逻辑芯片已量产，HBM 侧待导入

韩美半导体是这个环节的绝对主角：TechInsights 数据显示，2025 年前三季度按收入计它在全球 HBM TC 键合机市场占约 71.2%，在 HBM3E 12 层量产用 TC 键合机市场占逾九成；竞争对手包括三星子公司 SEMES（约 13%）、ASMPT、雅马哈机器人、韩华半导体。2026 年 6 月 SK 海力士已向它下达 HBM4 专用键合机（TC Bonder 4.5 Griffin）首批订单，约 442 亿韩元、约 15 台，单价约 30 亿韩元。

四、卡点不止一个：五个环节一起放量

环节	干什么	为什么难	代表厂商
键合	把多层 Die 堆起来	亚微米对位、翘曲控制、单颗坏片废整栈	韩美、BESI、ASMPT、SEMES、韩华 Semitech
TSV	硅片内打垂直通孔并填铜	深硅刻蚀、绝缘 / 阻挡层、电镀填充、CMP 配合	应用材料、Lam Research、东京电子
减薄与切割	把 Die 减到极薄以控总高	越薄机械强度越低，易破片、翘曲	DISCO
CMP	保证晶圆表面平坦度	不平整、填充缺陷、微粒直接影响良率	应用材料等
模塑与检测	封装保护、缺陷与键合质量检查	层数越多，单点缺陷代价越高	TOWA（模塑）、Camtek、KLA、ONTO（检测）

一句话概括：这轮投资不是 “买几台键合机”，而是要围绕整条流程把一整套产能建起来。

五、混合键合：方向确定，时点被推迟了一到两年

行业原本预期 HBM4 就要上混合键合，因为 16 颗 DRAM Die 加一颗 base die 在 720 微米的封装高度上限下塞不进去。但 JEDEC 在 2026 年初把上限从 720 微米放宽到 775 微米，多出来的空间让 16 层 HBM4 用成熟的微凸块工艺就能装下；据报道 JEDEC 还在考虑进一步放宽到约 900 微米。

价格是更直接的阻碍：HBM4 的焊盘间距约 10 微米，在这个间距上混合键合没有成本优势 ——TCB 的成本大约只有一半。于是行业共识变成：HBM4 继续用 TCB，HBM5 甚至 HBM6 才轮到混合键合。TrendForce 2026 年 7 月的说法是，三星与 SK 海力士的首个混合键合 HBM 最早落在 16 层 HBM4E。

各家姿势也不一样：三星计划从 16 层 HBM4E 开始用混合键合解决发热问题，称热阻可降 20% 以上；SK 海力士在 16 层 HBM4 上坚持先进整体回流加模塑底填，把混合键合列为备用方案，2026 年 3 月已订购量产型混合键合设备，计划下一代 HBM 起应用；美光仍在验证阶段。韩美则把混合键合研发预算投到 1000 亿韩元（约 7190 万美元），目标 2027 年底推出商用系统。

六、订单热不等于收入热：三个时间不同步

订单先到，收入后到。设备订单通常在产线动工前 6—12 个月出现，收入按交付验收确认。韩美三季度营收环比 −27.9%、营业利润环比 −30.3%，就是收入确认递延的典型表现，公司预计四季度集中释放、全年连续第三年刷新纪录。
认证周期长。键合这类设备要跟客户跑多年验证，尤其混合键合，客户从评估机到量产导入往往以年计。BESI 的混合键合客户数从 2025 年末的 15 家增至 2026 年的 23 家、累计需求超 215 台系统，这个爬坡过程本身就是时间的证据。
工艺升级会带来 “不扩产也要买设备”。层数从 12 层到 16 层，即使不新增产线，现有设备也可能面临升级替换。这与传统 DRAM 周期里 “景气下滑就砍设备投资” 的规律不一样。

七、要打折看的地方，五条

“疯抢” 是媒体概括，不是全行业统计。文中引用的都是单家公司财报数据，样本集中在后段封装设备，不代表前道设备同样紧张。
混合键合单价有两个互相冲突的口径。一种说法是 “约 40 亿韩元（约 300 万美元），超过 TC 键合约 2 倍”；另一种是韩美口径 “每台超 100 亿韩元（约 720 万美元），约 TC 键合的 3 倍”。两者差距不小，报价随配置与客户而异，不宜取单一数字。
韩美的份额也有两个口径。71.2% 是按收入计的全部 HBM TC 键合机份额，逾九成是 HBM3E 12 层量产用细分市场，另有报道统称 “约 90% 的全球 HBM TC 键合机市场”。引用时必须带限定条件。
单一供应商风险是结构性的。全球 HBM4 键合高度集中在一家公司，其产能、零部件供应或出口许可一旦出问题，会直接卡住 HBM4 扩产节奏 —— 已有报道称其可能在美国贸易政策压力下限制对华出口，公司未公开确认。
混合键合的收入陡峭期在 2028—2030。把混合键合当成 2026—2027 年的业绩驱动来定价，与当前订单结构不符；BESI 的订单增长目前主要来自逻辑侧（台积电 SoIC、Intel、AI 加速器 chiplet 设计）。

八、不同角色该盯什么

投资者 / 研究者

看订单出货比与在手订单，不看单季营收 —— 韩美的环比下滑就是反例。
盯 JEDEC 封装高度上限是否再放宽到 900 微米，这直接决定混合键合的导入时点。
盯第二供应商量产节点（ASMPT、SEMES、韩华、LG），一旦放量，设备价格与交期都会松动。

存储厂 / 封测厂

按 HBM4E、HBM5 两代分别规划 TCB 与混合键合产能，不要一步切换。
提前锁定键合机交期，这类设备的认证周期比价格更值得优先考虑。

设备厂

短期把 TCB 的交付与验收节奏做稳，这是未来两年的业绩兑现口。
中期往 “平台化” 走 —— 把清洗、等离子活化、原位量测集成进键合系统，价值量才会外溢到 CMP、量测、清洗环节。

结论：这轮 “HBM 设备被疯抢”，真正紧张的是键合、TSV、减薄、CMP、检测这一整套后段工序，而最卡的是键合 —— 一家韩国公司握着 HBM3E 12 层键合机九成以上的份额，订单已经排到需要扩厂。但要把两件事分开看：TCB 的放量是已经落在财报上的事实，混合键合的放量是被 JEDEC 的 775 微米和 10 微米焊盘间距推后一到两年的时点。抢设备的人抢的是未来两年的产能，不是今天的收入。

【相关 FAQ】

问题 1：HBM 设备为什么会被疯抢，抢的主要是哪些设备？

回答 1：因为 HBM 需要把多颗 DRAM Die 垂直堆叠、用硅通孔（TSV）连通，工序比传统 DRAM 多出 TSV 加工、晶圆减薄、堆叠键合、模塑、检测一整套，层数从 8 层走向 12 层、16 层后每道工序精度要求同步抬高。被抢的主要是后段封装设备：热压键合与混合键合设备、TSV 刻蚀与填充、晶圆减薄切割、CMP、模塑和先进封装检测。

问题 2：HBM 设备订单增长有多快，有哪些具体数字？

回答 2：TOWA 2026 年 7—9 月订单 329.7 亿日元、同比增 125.8%，创单季历史新高，并把本财年营收预测从 640 亿上调至 710 亿日元；BESI 2026Q3 订单 3.426 亿欧元、同比增 96.1%；ASMPT 2026 上半年新增订单 16.31 亿美元、同比增 85.1%，订单出货比 1.43；摩根士丹利预计 2026 年 CoWoS 与 HBM 设备市场增长约 55%。

问题 3：HBM 键合环节，热压键合和混合键合什么时候切换？

回答 3：HBM4 仍以热压键合（TCB）为主。JEDEC 在 2026 年初把封装高度上限从 720 微米放宽到 775 微米，使 16 层 HBM4 用微凸块工艺即可装下；加之 HBM4 焊盘间距约 10 微米，混合键合在该间距下没有成本优势、TCB 成本约为其一半。行业共识因此把首个混合键合 HBM 推到 16 层 HBM4E（约 2027 年或更晚），20 层以上的 HBM5/HBM6 才是混合键合的必需场景。

问题 4：HBM 设备订单大涨，为什么设备厂当季营收反而可能下滑？

回答 4：因为设备订单与收入确认不同步。订单通常在产线动工前 6—12 个月出现，收入按交付与验收进度确认。韩美半导体 2026Q3 营收 1810 亿韩元、营业利润 908 亿韩元，同比增 8.9% 和 33.9%，但环比分别下降 27.9% 和 30.3%，公司解释是部分 HBM 设备收入确认递延至四季度，预计四季度集中释放。

【参考资料】

[2026-11-10]（The Machines That Stack HBM Are the Next Shortage）AInvest

[2026-11-09]（HBM 设备，被疯抢！）半导体行业观察

[2026-11-09]（需求超预期、订单创纪录 HBM 设备厂商 TOWA 上调盈利预期）东方财富

[2026-10-30]（HBM 设备龙头，再迎高光）半导体产业纵横

[2026-10-26]（BESI 订单近翻倍：混合键合设备放量的 AI 封装账）半导体产业链图谱

[2026-10-19]（Hanmi Semiconductor Cements TC Bonder Leadership at SEMICON West as HBM4 Orders Surge）C114Pro

[2026-09-20]（键合设备革命性周期：HBM 大扩产，混合键合技术平台化打开第二增长曲线）华尔街见闻

【免责声明】

本文订单与财务数据来自各公司财报、电话会及公开报道：TOWA 订单与全年指引、BESI 三季度订单、ASMPT 上半年订单、韩美半导体三季度业绩、ONTO 季度表现均为各公司披露口径，可能因财年划分、汇率折算与收入确认政策不同而不可直接横比。市场份额存在两个口径 ——“按收入计全球 HBM TC 键合机约 71.2%” 与 “HBM3E 12 层量产用键合机逾九成”，另有报道统称约 90%，引用须带限定条件。混合键合设备单价存在 “约 40 亿韩元（约 300 万美元、TC 键合 2 倍）” 与 “超 100 亿韩元（约 720 万美元、TC 键合 3 倍）” 两种说法，差异较大，实际价格随配置与客户而异。摩根士丹利 “2026 年 CoWoS 与 HBM 设备市场增长约 55%”、Yole “TC 与混合键合设备 2030 年扩张 13 亿美元” 等均为机构预测，非已实现数据。混合键合在 HBM 侧的导入时点依据 JEDEC 封装高度上限与 TrendForce 报道推算，仍可能随标准修订与良率进展变化；相关厂商对华出口限制的报道未经公司确认。本文为公开信息梳理，不构成投资建议，也不构成对任何设备厂商、技术路线或标的的推荐。

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