三星、SK 海力士两大存储大厂正在集中向 ASML 重金下单 EUV 光刻机，两家计划投入资金区间都在 10 万亿至 20 万亿韩元，核心目标是锁定紧缺的设备交付配额，支撑下一代 1c DRAM、HBM4 这类 AI 存储芯片的制程升级和产能扩张。AI 带动 HBM、高速 DDR5 需求爆发，先进 DRAM 制程必须依靠 EUV 来简化多重曝光流程、提升良率，但是 ASML 的 EUV 产能有限、交付周期已经拉长至原来两倍，供给缺口会在 2027 到 2028 年进一步显现，能不能拿到 EUV 直接决定后续存储厂商的技术迭代节奏。SK 海力士早在今年 3 月就敲定了 11.95 万亿韩元的 EUV 采购订单，计划 2027 年底前完成交付，用来配套龙仁 Y1 晶圆厂；三星则围绕平泽 P5 产线布局 EUV，目标在 2028 年落地 High NA EUV 用于 DRAM 量产，南亚科、华邦等其他存储厂商也在规划后续 EUV 导入时间，只是节奏慢很多，这一轮扫货本质是存储厂商在 AI 存储红利期抢占先进制程的入场券，设备采购金额巨大、资本开支压力明显，后续存储芯片供给、价格周期都会受到这一轮设备投放节奏的影响。
一、本次采购核心信息汇总
| 项目 | 详情 |
|---|---|
| 采购主体 | 三星电子、SK 海力士 |
| 设备来源 | ASML EUV 光刻机 |
| 单家投资区间 | 10 万亿–20 万亿韩元 |
| SK 海力士已确认订单 | 11.95 万亿韩元，约 20 台 EUV，2027 年 12 月 31 日前交付 |
| 配套产线 | SK 海力士龙仁 Y1 晶圆厂；三星平泽 P5 产线 |
| 主攻制程 | 1c DRAM、下一代 HBM4 |
| 关键时间节点 | 2027 年起批量进场装机，2028 年逐步量产 |
| 行业现状 | EUV 供给紧张，交付周期翻倍，存在明显配额竞争 |
二、存储芯片为什么现在必须抢 EUV 光刻机
- 先进 DRAM 制程绕不开 EUV：传统多重曝光工艺步骤多、成本高、良率控制难度大，EUV 单步光刻可以直接实现更细的线宽，适配 1c 及之后 DRAM 节点。
- AI 存储需求拉动：HBM、高速 DDR5、LPDDR6 订单持续增长，没有足够 EUV 机台就没法扩产高端存储。
- 交付排期风险：ASML 产能有限，订单排期很紧，晚下单就会错过产线投产窗口。
- 长期技术卡位：后续 High NA EUV 是下一代 DRAM 的升级路线，提前锁定设备配额，避免被竞争对手拉开差距。
三、各家存储厂商 EUV 布局节奏
- SK 海力士：优先落地常规 EUV，机队规模计划扩至 40 台，优先保障 1c DRAM 和 HBM 产能。
- 三星：同步布局常规 EUV 与 High NA EUV，目标 2028 年把 High NA EUV 用在 DRAM 量产。
- 南亚科：规划 2027 下半年 Fab5A 逐步导入 EUV。
- 华邦电子：预计 2030 年才会正式导入 EUV。
四、重金采购带来的收益
- 产能收益：拿到 EUV 配额，才能持续释放高端 DRAM、HBM 产能，承接 AI 客户订单。
- 成本收益：EUV 减少多次曝光工序，长期看单片晶圆制造成本下降。
- 技术收益：稳定推进 1c 及更先进存储节点，维持在全球存储赛道的技术领先地位。
五、对应的风险点
- 资本开支压力巨大，巨额设备采购会压低企业利润，现金流承压。
- 存储行业周期性强，如果后续 AI 需求回落，扩产出来的产能容易过剩。
- 就算设备按时交付，产线良率爬坡、工艺调试依然存在不确定性。
- 设备交付受 ASML 产能、供应链、地缘因素影响，存在延期风险。
六、后续跟踪观察清单
- ASML 是否会继续上调 EUV 交付周期、涨价。
- 三星、SK 海力士 EUV 设备是否按时进场、1c DRAM 良率爬坡进度。
- HBM、DDR5 现货价格走势，验证 AI 存储需求持续性。
- 其他存储厂商是否跟进追加 EUV 订单。
【相关 FAQ】
问题 1：存储大厂重金扫货 EUV 光刻机，这批 EUV 主要用来做什么产品？
回答 1：存储大厂重金扫货 EUV 光刻机，这批设备主要用来生产 1c 先进 DRAM、HBM4、高速 DDR5 等面向 AI 场景的高端存储芯片，支撑存储制程迭代和产能扩张。
问题 2：存储大厂抢 EUV 光刻机，是不是只要下单就能按时拿到设备？
回答 2：不一定，存储大厂重金扫货 EUV 光刻机，当前 EUV 供给紧张，交付周期已经拉长至原先两倍，就算签下订单，也存在交付延期、配额调整的风险。
问题 3：其他存储厂商也会跟着重金采购 EUV 光刻机吗？
回答 3：不同厂商节奏不一样，南亚科、华邦电子有 EUV 导入规划，但不会像三星、SK 海力士这样集中重金扫货 EUV 光刻机，导入时间明显更晚。
【参考资料】
[2026-11-10]（存储大厂重金 “扫货” EUV 光刻机）财联社
[2026-11-10]（三星、SK 海力士争抢 EUV 配额，各投超 10 万亿韩元扩产 DRAM）新浪财经
[2026-11-10]（砸下超 10 万亿韩元，三星、SK 海力士大手笔采购 ASML EUV 光刻机）环球网
[2026-11-09]（都在抢 EUV 光刻机，存储双雄争夺 EUV 交付配额）36 氪
【免责声明】
本文仅为存储大厂采购 EUV 光刻机产业资讯科普，不构成投资、供应链采购建议。EUV 订单金额、交付时间、产能释放节奏存在不确定性，存储行业具备强周期性，AI 需求、地缘、设备供应链都会影响最终落地效果，全部交易细节以 ASML、三星、SK 海力士官方公告为准，据此做出相关决策产生的风险由使用者自行承担。
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本文概览：三星、SK 海力士两大存储大厂正在集中向 ASML 重金下单 EUV 光刻机，两家计划投入资金区间都在 10 万亿至 20 万亿韩元，核心目标是锁定紧缺的设备交付配额，支撑下一代 1c DRAM、HBM4 这类 AI 存储芯片的制程升级和产能扩张。AI 带动 HBM、高速 DDR5 需求爆发，先进 DRAM 制程必须依靠 EUV 来简化多重曝光流程、提升良率，但是 ASML 的 EUV 产能有限、交付周期已经拉长至原来两倍，供给缺口会在 2027 到 2028 年进一步显现，能不能拿到 EUV 直接决定后续存储厂商的技术迭代节奏。SK 海力士早在今年 3 月就敲定了 11.95 万亿韩元的 EUV 采购订单，计划 2027 年底前完成交付，用来配套龙仁 Y1 晶圆厂；三星则围绕平泽 P5 产线布局 EUV，目标在 2028 年落地 High NA EUV 用于 DRAM 量产，南亚科、华邦等其他存储厂商也在规划后续 EUV 导入时间，只是节奏慢很多，这一轮扫货本质是存储厂商在 AI 存储红利期抢占先进制程的入场券，设备采购金额巨大、资本开支压力明显，后续存储芯片供给、价格周期都会受到这一轮设备投放节奏的影响。